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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 制备 NGZO 薄膜
制备 NGZO 薄膜. 伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 技术参数:型号RFICP140DischargeRFICP 射频离子束流>600 mA离子动能100-1200 V栅极直径14
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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 溅射沉积 BCx 薄膜
兰州某研究所在研究 BCx 薄膜的结构特征、力学性能和摩擦磨损性能试验中采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 作为溅射源, 溅射碳化硼靶和石墨靶(纯度均为99.9%),在
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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 溅射沉积半导体 IGZO 薄膜
河北某大学实验室在研究 IGZO 薄膜的特性试验中采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 作为溅射源, 溅射沉积半导体 IGZO 薄膜. 伯东 KRI 考夫曼射频离子源
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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 溅射沉积铝锰合金薄膜
华北某大学实验室采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 辅助磁控溅射沉积的方法在钕铁硼磁体表面制备了耐腐蚀性良好的铝锰合金薄膜. 伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140
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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 溅射制备 MnGe 量子点
云南某大学实验室采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140离子束溅射制备尺寸均匀、高密度的 MnGe 量子点, MnGe 量子点属于半导体量子材料的领域. 伯东 KRI考夫曼射频离子源
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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 制备 YIG 薄膜
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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 溅射沉积立方氮化硼薄膜
东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 辅助溅射沉积立方氮化硼 (cBN) 薄膜. 伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 技术参数:型号RFICP140DischargeRFICP
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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 溅射沉积 Ti-B-C 薄膜
RFICP140 溅射沉积 Ti-B-C 薄膜, 研究不同沉积条件及热处理条件对其组织结构和力学性能的影响. 伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 技术参数:型号
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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 溅射多层沉积 Nb3Sn 超导薄膜
国内某大学采用双 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 作为溅射源分别溅射沉积铌和锡, 再经过高温退火后获得 Nb3Sn 超导薄膜. 用这种方法所获得的超导薄膜的原子组分的调整比较方便,对于
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KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 溅射沉积制备碳薄膜
北京某研究院采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFCIP220 溅射沉积制备碳薄膜, 同时在室温和无催化层衬底的条件下, 探究离子束能量和沉积时间对碳纳米薄膜成膜的影响. 伯东 KRI 射频离子源
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